توضیحات پنتاگون درمورد برتری روسیه در بخش تسیلحات هایپرسونیک

© Photo / Ministry of Defence of the Russian Federationتوضیحات پنتاگون درمورد برتری روسیه در بخش تسیلحات هایپرسونیک
توضیحات پنتاگون درمورد برتری روسیه در بخش تسیلحات هایپرسونیک - اسپوتنیک افغانستان
عضو شوید
در وزارت دفاع امریکا چند دلیل برتری روسیه بر امریکا در بخش سلاح هایپرسونیک را نام برده اند.

به گزارش اسپوتنیک به نقل از نشریه Washington Examiner، مایک وایت، معاون ریاست طرح تسلیحات هایپرسونیک وزارت دفاع امریکا گفته است که واشنگتن هنگامی که از پذیرفتن چنین تکنالوژی‌ها در سیستم‌های جدید تسلیحاتی صرف‌نظر کرد، بر قطعات دیگر تمرکز کرد.

همچنان مارک لیویس، مسوول تحقیقات دفاعی و مدرنیزه، یکی از دلایل عقب‌ماندگی امریکا در بخش تسلیحات را باز بودن امریکا، نامید. به گفته وی، روسیه و چین توانستند درمورد تحقیقات امریکایی اطلاعات لازم را استفاده کنند. وی گفت: "ما اسناد زیاد را نشر می‌کنیم، و آنها آنرا مطالعه می‌کنند".

روسیه از ساخت یک راکت هایپرسونیک برای جنگنده سوخو-57 خبر داد  - اسپوتنیک افغانستان
روسیه از ساخت یک راکت هایپرسونیک برای جنگنده سوخو-57 خبر داد

لیویس خاطر نشان ساخت که در حال حاضر شامل‌ساختن تکنالوژی‌های هایپرسونیک به تسلیحات، برای واشنگتن در اولویت قرار دارد. وی افزود که امریکا قصد دارد یک مجتمع مکمل چنین دستگاه‌ها را ایجاد کند، اما این تسلیحات قبل از اواسط دهه ۲۰۲۰ ساخته نمی‌شود.

نشریه یادآور شده است که در ماه فبروری نظامیان امریکایی با اعلامیه‌یی خواستار افزایش بودجه دفاعی شده اند تا در بخش هایپرسونیک به روسیه و چین برسند.

چنانکه نشریه Washington Examiner نوشته است، اتحاد جماهیر شوروی و ایالات متحده امریکا در آخر دهه ۴۰ قرن گذشته تحقیقات هایپرسونیک را آغاز کردند. که در نهایت روسیه توانست موفقیت‌های شوروی را در این بخش توسعه دهد.

در مقاله آمده است: "در حال حاضر روسیه چندین نوع تسلیحات هایپرسونیک را که می‌توان آنها را از داخل کشتی، کشتی تحت‌البحری، با راکت‌های بالستیک و همچنان از طریق هوا به هدف رساند، را آزمایش کرده است".

قابل ذکر است که ولادیمیر پوتین، رئيس جمهور روسیه در سال ۲۰۱۸ تسلیحات هایپرسونیک روسیه – مجتمع "آوانگارد" و "کینژال" را معرفی کرد.

نوار خبری
0
برای شرکت در گفتگو
ورود به سیستمیا ثبت نام کنید
loader
بحث و گفتگو
Заголовок открываемого материала